2ED2304S06FXUMA1 vs 2ED21064S06JXUMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma 2ED2304S06FXUMA1 tarafından Infineon ve 2ED21064S06JXUMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre 2ED2304S06FXUMA1 2ED21064S06JXUMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Driver Configuration Half-Bridge (High-Side + Low-Side) —
Technology Infineon thin-film SOI —
Blocking Voltage (High-Side) 650 V —
Source Current (typ.) 0.36 A —
Sink Current (typ.) 0.7 A —
Input Logic Compatibility 3.3 V CMOS / LSTTL (Schmitt-trigger) 3.3 V / 5 V CMOS
VCC Supply Range 10 V to 17 V —
Bootstrap Diode Integrated (BSD) Integrated
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VB-VS) —
Interlock / Anti-Shoot-Through Built-in —
Propagation Delay (typ.) 200 ns —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -40C to +125C —
Paket PG-DSO-8-910 (DSO-8) PG-DSO-14 (14-pin SOIC)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi 2 [DATA_NEEDED: MSL level]
RoHS Durumu Compliant ROHS3 Compliant
Fonksiyon — High-Side and Low-Side Gate Driver
Configuration — Half-Bridge (2 outputs, non-inverting)
Ağ Yapısı — High-Side, Low-Side with integrated bootstrap diode
Maximum Offset / Boot Voltage — 650 V
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (typical) — 0.29 A
Sink Current (typical) — 0.7 A
Rise Time (typical) — [DATA_NEEDED: rise time]
Fall Time (typical) — [DATA_NEEDED: fall time]
Propagation Delay (typical) — 100 ns
Channel-to-Channel Delay Match — [DATA_NEEDED: channel-to-channel delay match]
Under-Voltage Lockout — Yes (both channels)
İşletim Sıcaklığı — -40C to +125C
Negative Gate Drive Robustness — -0.7 V

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin