2EDL6014ACG2DXTMA1 vs 2ED2103S06FXUMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना 2EDL6014ACG2DXTMA1 द्वारा Infineon और 2ED2103S06FXUMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
2EDL6014ACG2DXTMA1 - 120V Half-Bridge Gate Driver, 4A/6A | Infineon
2EDL6014ACG2DXTMA1 ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | 2EDL6014ACG2DXTMA1 | 2ED2103S06FXUMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Driver Type | Half-Bridge Gate Driver | — |
| Number of Channels | 2 (high-side + low-side) | — |
| आउटपुट कॉन्फ़िगरेशन | Non-Inverting | — |
| High-Side Voltage Rating | 120 V | — |
| Source Output Current | 4 A | — |
| Sink Output Current | 6 A | — |
| Supply Voltage (VDD) | 2.97 V to 5.5 V | — |
| Rise Time (typ.) | 4.2 ns | — |
| Fall Time (typ.) | 3.8 ns | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | -40 C to +125 C | — |
| पैकेज | 11-WQFN (2.2 x 2.2 mm) with exposed pad | PG-DSO-8-69 (DSO-8 with exposed pad) |
| Packing Method | Tape & Reel | — |
| Isolation Type | Isolated (level-shifted floating high-side) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology Family | EiceDRIVER 2EDL | — |
| फ़ंक्शन | — | Half-Bridge Gate Driver |
| Configuration | — | Non-Inverting |
| Technology | — | High-Voltage Level Shift (SOI) |
| Number of Drivers | — | 2 (high-side + low-side) |
| Driven Device Type | — | IGBT, N-Channel MOSFET |
| High-Side Offset Voltage (Max) | — | 650 V |
| Bootstrap Voltage (Max) | — | 675 V |
| Supply Voltage (VCC) | — | 10 V to 20 V |
| Source Current (typ.) | — | 0.29 A |
| Sink Current (typ.) | — | 0.7 A |
| Bootstrap Diode | — | Integrated |
| Logic Input Compatibility | — | 3.3 V / 5 V |
| Under-Voltage Lockout (UVLO) | — | Yes (VCC and VBS) |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -40C to +125C |
| MSL स्तर | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |