2EDL6014ACG2DXTMA1 vs 2ED2103S06FXUMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma 2EDL6014ACG2DXTMA1 tarafından Infineon ve 2ED2103S06FXUMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre 2EDL6014ACG2DXTMA1 2ED2103S06FXUMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Driver Type Half-Bridge Gate Driver —
Number of Channels 2 (high-side + low-side) —
Çıkış Konfigürasyonu Non-Inverting —
High-Side Voltage Rating 120 V —
Source Output Current 4 A —
Sink Output Current 6 A —
Supply Voltage (VDD) 2.97 V to 5.5 V —
Rise Time (typ.) 4.2 ns —
Fall Time (typ.) 3.8 ns —
İşletim Sıcaklığı -40 C to +125 C —
Paket 11-WQFN (2.2 x 2.2 mm) with exposed pad PG-DSO-8-69 (DSO-8 with exposed pad)
Packing Method Tape & Reel —
Isolation Type Isolated (level-shifted floating high-side) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology Family EiceDRIVER 2EDL —
Fonksiyon — Half-Bridge Gate Driver
Configuration — Non-Inverting
Technology — High-Voltage Level Shift (SOI)
Number of Drivers — 2 (high-side + low-side)
Driven Device Type — IGBT, N-Channel MOSFET
High-Side Offset Voltage (Max) — 650 V
Bootstrap Voltage (Max) — 675 V
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (typ.) — 0.29 A
Sink Current (typ.) — 0.7 A
Bootstrap Diode — Integrated
Logic Input Compatibility — 3.3 V / 5 V
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VBS)
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -40C to +125C
MSL Seviyesi — [DATA_NEEDED: MSL level]
RoHS Durumu — Compliant

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin