2EDL6014ACG2DXTMA1 vs 2ED2103S06FXUMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار 2EDL6014ACG2DXTMA1 توسط Infineon و 2ED2103S06FXUMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
2ED2103S06FXUMA1 2ED2103S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2ED2103S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2ED2103S06FXUMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر 2EDL6014ACG2DXTMA1 2ED2103S06FXUMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Driver Type Half-Bridge Gate Driver —
Number of Channels 2 (high-side + low-side) —
پیکربندی خروجی Non-Inverting —
High-Side Voltage Rating 120 V —
Source Output Current 4 A —
Sink Output Current 6 A —
Supply Voltage (VDD) 2.97 V to 5.5 V —
Rise Time (typ.) 4.2 ns —
Fall Time (typ.) 3.8 ns —
دمای کاری -40 C to +125 C —
بسته‌بندی 11-WQFN (2.2 x 2.2 mm) with exposed pad PG-DSO-8-69 (DSO-8 with exposed pad)
Packing Method Tape & Reel —
Isolation Type Isolated (level-shifted floating high-side) —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Technology Family EiceDRIVER 2EDL —
عملکرد — Half-Bridge Gate Driver
Configuration — Non-Inverting
Technology — High-Voltage Level Shift (SOI)
Number of Drivers — 2 (high-side + low-side)
Driven Device Type — IGBT, N-Channel MOSFET
High-Side Offset Voltage (Max) — 650 V
Bootstrap Voltage (Max) — 675 V
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (typ.) — 0.29 A
Sink Current (typ.) — 0.7 A
Bootstrap Diode — Integrated
Logic Input Compatibility — 3.3 V / 5 V
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VBS)
محدوده دمای کاری — -40C to +125C
سطح MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]
وضعیت RoHS — Compliant

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت