2EDL6014ACG2DXTMA1 vs 2ED2103S06FXUMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של 2EDL6014ACG2DXTMA1 מאת Infineon ו 2ED2103S06FXUMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
2EDL6014ACG2DXTMA1 - 120V Half-Bridge Gate Driver, 4A/6A | Infineon
2EDL6014ACG2DXTMA1 ✓ פעיל
השוואת מפרטים
| פרמטר | 2EDL6014ACG2DXTMA1 | 2ED2103S06FXUMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Driver Type | Half-Bridge Gate Driver | — |
| Number of Channels | 2 (high-side + low-side) | — |
| תצורת מוצא | Non-Inverting | — |
| High-Side Voltage Rating | 120 V | — |
| Source Output Current | 4 A | — |
| Sink Output Current | 6 A | — |
| Supply Voltage (VDD) | 2.97 V to 5.5 V | — |
| Rise Time (typ.) | 4.2 ns | — |
| Fall Time (typ.) | 3.8 ns | — |
| טמפרטורת פעולה | -40 C to +125 C | — |
| מארז | 11-WQFN (2.2 x 2.2 mm) with exposed pad | PG-DSO-8-69 (DSO-8 with exposed pad) |
| Packing Method | Tape & Reel | — |
| Isolation Type | Isolated (level-shifted floating high-side) | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology Family | EiceDRIVER 2EDL | — |
| פונקציה | — | Half-Bridge Gate Driver |
| Configuration | — | Non-Inverting |
| Technology | — | High-Voltage Level Shift (SOI) |
| Number of Drivers | — | 2 (high-side + low-side) |
| Driven Device Type | — | IGBT, N-Channel MOSFET |
| High-Side Offset Voltage (Max) | — | 650 V |
| Bootstrap Voltage (Max) | — | 675 V |
| Supply Voltage (VCC) | — | 10 V to 20 V |
| Source Current (typ.) | — | 0.29 A |
| Sink Current (typ.) | — | 0.7 A |
| Bootstrap Diode | — | Integrated |
| Logic Input Compatibility | — | 3.3 V / 5 V |
| Under-Voltage Lockout (UVLO) | — | Yes (VCC and VBS) |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | -40C to +125C |
| רמת MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| סטטוס RoHS | — | Compliant |