AS4C512M16D4-75BCN vs AS4C512M16D4-75BCNTR तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना AS4C512M16D4-75BCN द्वारा Alliance Memory और AS4C512M16D4-75BCNTR द्वारा Alliance Memory. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BCN AS4C512M16D4-75BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 2666MT/s | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 2666MT/s | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BCN ✓ सक्रिय
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AS4C512M16D4-75BCNTR AS4C512M16D4-75BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BCNTR ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर AS4C512M16D4-75BCN AS4C512M16D4-75BCNTR
ब्रांड Alliance Memory Alliance Memory
श्रेणी DRAM Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
स्टॉक स्थिति In Stock —
यूनिट मूल्य (USD) $7.75 $7.90
मेमोरी प्रकार DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit 8 Gbit
संगठन 512M x 16 512M x 16
डेटा दर 2666 MT/s (DDR4-2666) 2666 Mbps per pin
Clock Frequency 1.333 GHz 1.333 GHz
सप्लाई वोल्टेज 1.2 V —
CAS लेटेंसी 18 —
Access Time 18 ns 18 ns
Number of Banks 16 —
Prefetch Architecture 8n 8n
इंटरफ़ेस Parallel Parallel
पैकेज 96-FBGA (7.5 mm x 13 mm) 96-ball FBGA (7.5 x 13 mm)
ऑपरेटिंग तापमान रेंज 0C to +95C (Commercial) 0C to +95C (case, commercial)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount (FBGA) Surface Mount
Packaging Tray —
Refresh Modes Auto-refresh, Self-refresh Auto-refresh and self-refresh
On-Die Termination Yes (ODT) —
RoHS स्थिति [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Standby Power [DATA_NEEDED: standby power] —
Write Cycle Time — 15 ns
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V (range 1.14 V to 1.26 V)
Internal Bank Count — 16 banks
Process Technology — 20nm-class DRAM
Termination — On-die termination (ODT)
Packaging Option — Tape & Reel (TR suffix)
Lead-Free — Yes

डेटाशीट और संसाधन

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