AS4C512M16D4-75BCN vs AS4C512M16D4-75BCNTR Perbandingan

Perbandingan bersamaan detil AS4C512M16D4-75BCN dari Alliance Memory dan AS4C512M16D4-75BCNTR dari Alliance Memory. Bandingkan spesifikasi penting, parameter listrik, pengemasan, status cycle, harga, dan ketersediaan untuk menentukan komponen terbaik untuk kebutuhan desain Anda.

Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BCN AS4C512M16D4-75BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 2666MT/s | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 2666MT/s | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BCN ✓ Aktif
Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BCNTR AS4C512M16D4-75BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BCNTR ✓ Aktif

Perbandingan Spesifikasi

Parameter Umum AS4C512M16D4-75BCN AS4C512M16D4-75BCNTR
Merek Alliance Memory Alliance Memory
Kategori DRAM Memory ICs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Status Stok In Stock —
Harga Unit (USD) $7,75 $7,90
Tipe Memori DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit 8 Gbit
Organisasi 512M x 16 512M x 16
Laju Data 2666 MT/s (DDR4-2666) 2666 Mbps per pin
Clock Frequency 1.333 GHz 1.333 GHz
Tegangan Pemuat 1.2 V —
Latensi CAS 18 —
Access Time 18 ns 18 ns
Number of Banks 16 —
Prefetch Architecture 8n 8n
Antarmuka Parallel Parallel
Paket 96-FBGA (7.5 mm x 13 mm) 96-ball FBGA (7.5 x 13 mm)
Rentang Suhu Kerja 0C to +95C (Commercial) 0C to +95C (case, commercial)
Tipe Mounting Surface Mount (FBGA) Surface Mount
Packaging Tray —
Refresh Modes Auto-refresh, Self-refresh Auto-refresh and self-refresh
On-Die Termination Yes (ODT) —
Status RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Standby Power [DATA_NEEDED: standby power] —
Write Cycle Time — 15 ns
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V (range 1.14 V to 1.26 V)
Internal Bank Count — 16 banks
Process Technology — 20nm-class DRAM
Termination — On-die termination (ODT)
Packaging Option — Tape & Reel (TR suffix)
Lead-Free — Yes

Spek dan Sumber

Buka Semua Produk Buat BOM Ajukan Diskon