AS4C512M16D4-75BCN vs AS4C512M16D4-75BCNTR Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci AS4C512M16D4-75BCN disebabkan oleh Alliance Memory dan AS4C512M16D4-75BCNTR disebabkan oleh Alliance Memory. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BCN AS4C512M16D4-75BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 2666MT/s | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 2666MT/s | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BCN ✓ Aktif
Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BCNTR AS4C512M16D4-75BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BCNTR ✓ Aktif

Pengandingan Spesifikasi

Parametr AS4C512M16D4-75BCN AS4C512M16D4-75BCNTR
Merek Alliance Memory Alliance Memory
Kategori DRAM Memory ICs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Status Stok In Stock —
Harga Unit (USD) $7.75 $7.90
Jenis Ingatan DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit 8 Gbit
Organisasi 512M x 16 512M x 16
Kadar Data 2666 MT/s (DDR4-2666) 2666 Mbps per pin
Clock Frequency 1.333 GHz 1.333 GHz
Tegangan Pemberi Arus 1.2 V —
Latensi CAS 18 —
Access Time 18 ns 18 ns
Number of Banks 16 —
Prefetch Architecture 8n 8n
Antaramuka Parallel Parallel
Kemasan 96-FBGA (7.5 mm x 13 mm) 96-ball FBGA (7.5 x 13 mm)
Gambaran Suhu Operasi 0C to +95C (Commercial) 0C to +95C (case, commercial)
Jenis Pemasangan Surface Mount (FBGA) Surface Mount
Packaging Tray —
Refresh Modes Auto-refresh, Self-refresh Auto-refresh and self-refresh
On-Die Termination Yes (ODT) —
Status RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Standby Power [DATA_NEEDED: standby power] —
Write Cycle Time — 15 ns
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V (range 1.14 V to 1.26 V)
Internal Bank Count — 16 banks
Process Technology — 20nm-class DRAM
Termination — On-die termination (ODT)
Packaging Option — Tape & Reel (TR suffix)
Lead-Free — Yes

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga