AS4C512M16D4-75BCN vs AS4C512M16D4-75BCNTR مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار AS4C512M16D4-75BCN توسط Alliance Memory و AS4C512M16D4-75BCNTR توسط Alliance Memory. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BCN AS4C512M16D4-75BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 2666MT/s | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 2666MT/s | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BCN ✓ فعال
Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BCNTR AS4C512M16D4-75BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BCNTR ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر AS4C512M16D4-75BCN AS4C512M16D4-75BCNTR
برند Alliance Memory Alliance Memory
دسته‌بندی DRAM Memory ICs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
وضعیت موجودی In Stock —
قیمت واحد (USD) $7.75 $7.90
نوع حافظه DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit 8 Gbit
سازمان 512M x 16 512M x 16
نرخ داده 2666 MT/s (DDR4-2666) 2666 Mbps per pin
Clock Frequency 1.333 GHz 1.333 GHz
ولتاژ تغذیه 1.2 V —
تأخیر CAS 18 —
Access Time 18 ns 18 ns
Number of Banks 16 —
Prefetch Architecture 8n 8n
رابط Parallel Parallel
بسته‌بندی 96-FBGA (7.5 mm x 13 mm) 96-ball FBGA (7.5 x 13 mm)
محدوده دمای کاری 0C to +95C (Commercial) 0C to +95C (case, commercial)
نوع نصب Surface Mount (FBGA) Surface Mount
Packaging Tray —
Refresh Modes Auto-refresh, Self-refresh Auto-refresh and self-refresh
On-Die Termination Yes (ODT) —
وضعیت RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Standby Power [DATA_NEEDED: standby power] —
Write Cycle Time — 15 ns
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V (range 1.14 V to 1.26 V)
Internal Bank Count — 16 banks
Process Technology — 20nm-class DRAM
Termination — On-die termination (ODT)
Packaging Option — Tape & Reel (TR suffix)
Lead-Free — Yes

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت