AUIRFB8409 vs IRFB4110PBF तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना AUIRFB8409 द्वारा Infineon और IRFB4110PBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
AUIRFB8409 AUIRFB8409 - 40V 195A 0.97mΩ Auto MOSFET TO-220 | Infineon

AUIRFB8409 - 40V 195A 0.97mΩ Auto MOSFET TO-220 | Infineon

AUIRFB8409 ✓ सक्रिय
Infineon
IRFB4110PBF IRFB4110PBF - 100V N-Channel MOSFET, 120A, TO-220AB | Infineon

IRFB4110PBF - 100V N-Channel MOSFET, 120A, TO-220AB | Infineon

IRFB4110PBF ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर AUIRFB8409 IRFB4110PBF
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
स्टॉक स्थिति — In Stock
यूनिट मूल्य (USD) — $1.55
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET (planar-trench MOSFET) HEXFET (planar DMOS)
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 40 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) 195 A —
पल्स्ड ड्रेन करंट [DATA_NEEDED: pulsed ID value] —
R<sub>DS(on)</sub> max (V<sub>GS</sub>=10V) 1.2 mΩ (Infineon page) / 0.97 mΩ (Mouser title) —
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical] —
Maximum Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) 375 W —
Maximum Junction Temperature 175 °C —
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान -55 °C to +175 °C -55 °C to +175 °C
पैकेज TO-220AB (through-hole, 3 leads) TO-220AB (through-hole)
माउंटिंग प्रकार Through Hole Through Hole
Qualification Automotive Grade (AEC-Q101 family) —
RoHS स्थिति [DATA_NEEDED: explicit RoHS statement in datasheet] Compliant (Pb-free suffix)
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
ट्रांज़िस्टर प्रकार — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 120 A (bond-wire limited)
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 4.5 mΩ
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V — 3.7 mΩ
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 370 W
Lead-Free — Yes (PBF suffix denotes Pb-free)

डेटाशीट और संसाधन

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