AUIRFB8409 vs IRFB4110PBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار AUIRFB8409 توسط Infineon و IRFB4110PBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر AUIRFB8409 IRFB4110PBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
وضعیت موجودی — In Stock
قیمت واحد (USD) — $1.55
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET (planar-trench MOSFET) HEXFET (planar DMOS)
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 40 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) 195 A —
جریان درین پالسی [DATA_NEEDED: pulsed ID value] —
R<sub>DS(on)</sub> max (V<sub>GS</sub>=10V) 1.2 mΩ (Infineon page) / 0.97 mΩ (Mouser title) —
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical] —
Maximum Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) 375 W —
Maximum Junction Temperature 175 °C —
دمای اتصال کاری -55 °C to +175 °C -55 °C to +175 °C
بسته‌بندی TO-220AB (through-hole, 3 leads) TO-220AB (through-hole)
نوع نصب Through Hole Through Hole
Qualification Automotive Grade (AEC-Q101 family) —
وضعیت RoHS [DATA_NEEDED: explicit RoHS statement in datasheet] Compliant (Pb-free suffix)
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
نوع ترانزیستور — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 120 A (bond-wire limited)
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 4.5 mΩ
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V — 3.7 mΩ
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 370 W
Lead-Free — Yes (PBF suffix denotes Pb-free)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت