AUIRFB8409 vs IRFB4110PBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma AUIRFB8409 tarafından Infineon ve IRFB4110PBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre AUIRFB8409 IRFB4110PBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Stok Durumu — In Stock
Birim Fiyat (USD) — $1,55
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET (planar-trench MOSFET) HEXFET (planar DMOS)
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 40 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) 195 A —
Pulsed Dræn Akımı [DATA_NEEDED: pulsed ID value] —
R<sub>DS(on)</sub> max (V<sub>GS</sub>=10V) 1.2 mΩ (Infineon page) / 0.97 mΩ (Mouser title) —
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical] —
Maximum Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) 375 W —
Maximum Junction Temperature 175 °C —
İşletim Jant Sıcaklığı -55 °C to +175 °C -55 °C to +175 °C
Paket TO-220AB (through-hole, 3 leads) TO-220AB (through-hole)
Montaj Türü Through Hole Through Hole
Qualification Automotive Grade (AEC-Q101 family) —
RoHS Durumu [DATA_NEEDED: explicit RoHS statement in datasheet] Compliant (Pb-free suffix)
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 120 A (bond-wire limited)
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 4.5 mΩ
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V — 3.7 mΩ
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 370 W
Lead-Free — Yes (PBF suffix denotes Pb-free)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin