AUIRFB8409 vs IRFB4110PBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של AUIRFB8409 מאת Infineon ו IRFB4110PBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר AUIRFB8409 IRFB4110PBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
סטטוס מלאי — In Stock
מחיר ליחידה (USD) — $1.55
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET (planar-trench MOSFET) HEXFET (planar DMOS)
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 40 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) 195 A —
זרם ניקוז פועם [DATA_NEEDED: pulsed ID value] —
R<sub>DS(on)</sub> max (V<sub>GS</sub>=10V) 1.2 mΩ (Infineon page) / 0.97 mΩ (Mouser title) —
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical] —
Maximum Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) 375 W —
Maximum Junction Temperature 175 °C —
טמפרטורת צומת פעולה -55 °C to +175 °C -55 °C to +175 °C
מארז TO-220AB (through-hole, 3 leads) TO-220AB (through-hole)
סוג הרכבה Through Hole Through Hole
Qualification Automotive Grade (AEC-Q101 family) —
סטטוס RoHS [DATA_NEEDED: explicit RoHS statement in datasheet] Compliant (Pb-free suffix)
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
סוג טרנזיסטור — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 120 A (bond-wire limited)
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 4.5 mΩ
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V — 3.7 mΩ
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 370 W
Lead-Free — Yes (PBF suffix denotes Pb-free)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר