AUIRFB8409 vs IRFB4110PBF So sánh

So sánh chi tiết song song của AUIRFB8409 bằng Infineon và IRFB4110PBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
AUIRFB8409 AUIRFB8409 - 40V 195A 0.97mΩ Auto MOSFET TO-220 | Infineon

AUIRFB8409 - 40V 195A 0.97mΩ Auto MOSFET TO-220 | Infineon

AUIRFB8409 ✓ Hoạt động
Infineon
IRFB4110PBF IRFB4110PBF - 100V N-Channel MOSFET, 120A, TO-220AB | Infineon

IRFB4110PBF - 100V N-Channel MOSFET, 120A, TO-220AB | Infineon

IRFB4110PBF ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số AUIRFB8409 IRFB4110PBF
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Trạng thái kho — In Stock
Giá đơn vị (USD) — $1,55
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET (planar-trench MOSFET) HEXFET (planar DMOS)
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 40 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) 195 A —
Điện áp rò rỉ xung [DATA_NEEDED: pulsed ID value] —
R<sub>DS(on)</sub> max (V<sub>GS</sub>=10V) 1.2 mΩ (Infineon page) / 0.97 mΩ (Mouser title) —
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical] —
Maximum Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) 375 W —
Maximum Junction Temperature 175 °C —
Nhiệt độ mối nối hoạt động -55 °C to +175 °C -55 °C to +175 °C
Hộp TO-220AB (through-hole, 3 leads) TO-220AB (through-hole)
Kiểu lắp đặt Through Hole Through Hole
Qualification Automotive Grade (AEC-Q101 family) —
Trạng thái RoHS [DATA_NEEDED: explicit RoHS statement in datasheet] Compliant (Pb-free suffix)
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Kiểu transitor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 120 A (bond-wire limited)
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 4.5 mΩ
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V — 3.7 mΩ
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 370 W
Lead-Free — Yes (PBF suffix denotes Pb-free)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá