BD249C vs BD249C-S तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना BD249C द्वारा onsemi और BD249C-S द्वारा Bourns. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Bourns
BD249C-S BD249C-S - 100V 25A NPN Power Transistor | Bourns

BD249C-S - 100V 25A NPN Power Transistor | Bourns

BD249C-S ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर BD249C BD249C-S
ब्रांड onsemi Bourns
श्रेणी Transistors Transistors
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Polarity NPN —
कलेक्टर-एमिटर वोल्टेज (Vceo) 100 V 100 V
Continuous Collector Current 25 A —
Peak Collector Current 40 A —
Power Dissipation (at 25 C case) 125 W —
ट्रांज़िशन फ्रीक्वेंसी (ft) 3 MHz 3 MHz
Complementary PNP Part BD250 series —
पैकेज SOT-93 (through hole) SOT-93 (TO-218), 3 pins, through hole
माउंटिंग प्रकार Through Hole Through Hole
ट्रांज़िस्टर प्रकार Single Bipolar (BJT) NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
ESD Rating - Machine Model > 400 V (Class C) —
ESD Rating - Human Body Model > 8000 V (Class 3B) —
Flammability Rating UL 94 V-0 @ 0.125 in UL 94 V-0 @ 0.125 in (epoxy, family data)
Lead-Free (Pb-Free) Package Available —
Operating Case Temperature [DATA_NEEDED: operating case temperature range] —
DC Current Gain (hFE) [DATA_NEEDED: hFE range] [DATA_NEEDED: hFE range and test conditions]
Collector-Base Voltage (VCB) — 100 V
Emitter-Base Voltage (VEB) — 5 V
Collector Current (Continuous) — 25 A
Collector Current (Peak) — 40 A
Total Power Dissipation (TC = 25 C) — 125 W
Power Derating — 1.0 W/C above 25 C case temperature
पिन काउंट — 3
Series Grade — BD249C (C grade, highest VCEO in BD249 series)
Complementary Device — BD250 series (PNP)
ऑपरेटिंग तापमान — [DATA_NEEDED: storage/operating junction temperature range]
ESD Rating (HBM) — Class 3B, > 8000 V (per onsemi BD249C family data)
RoHS स्थिति — [DATA_NEEDED: RoHS status for BD249C-S specifically]

डेटाशीट और संसाधन

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