BD249C vs BD249C-S So sánh

So sánh chi tiết song song của BD249C bằng onsemi và BD249C-S bằng Bourns. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Bourns
BD249C-S BD249C-S - 100V 25A NPN Power Transistor | Bourns

BD249C-S - 100V 25A NPN Power Transistor | Bourns

BD249C-S ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số BD249C BD249C-S
Thương hiệu onsemi Bourns
Danh mục Transistors Transistors
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Polarity NPN —
N Nap-Emit (Vceo) 100 V 100 V
Continuous Collector Current 25 A —
Peak Collector Current 40 A —
Power Dissipation (at 25 C case) 125 W —
Tần số chuyển đổi (ft) 3 MHz 3 MHz
Complementary PNP Part BD250 series —
Hộp SOT-93 (through hole) SOT-93 (TO-218), 3 pins, through hole
Kiểu lắp đặt Through Hole Through Hole
Kiểu transitor Single Bipolar (BJT) NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
ESD Rating - Machine Model > 400 V (Class C) —
ESD Rating - Human Body Model > 8000 V (Class 3B) —
Flammability Rating UL 94 V-0 @ 0.125 in UL 94 V-0 @ 0.125 in (epoxy, family data)
Lead-Free (Pb-Free) Package Available —
Operating Case Temperature [DATA_NEEDED: operating case temperature range] —
DC Current Gain (hFE) [DATA_NEEDED: hFE range] [DATA_NEEDED: hFE range and test conditions]
Collector-Base Voltage (VCB) — 100 V
Emitter-Base Voltage (VEB) — 5 V
Collector Current (Continuous) — 25 A
Collector Current (Peak) — 40 A
Total Power Dissipation (TC = 25 C) — 125 W
Power Derating — 1.0 W/C above 25 C case temperature
Số chân — 3
Series Grade — BD249C (C grade, highest VCEO in BD249 series)
Complementary Device — BD250 series (PNP)
Nhiệt độ hoạt động — [DATA_NEEDED: storage/operating junction temperature range]
ESD Rating (HBM) — Class 3B, > 8000 V (per onsemi BD249C family data)
Trạng thái RoHS — [DATA_NEEDED: RoHS status for BD249C-S specifically]

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá