BSC027N04LSGATMA1 vs IAUC60N04S6L039ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSC027N04LSGATMA1 द्वारा Infineon और IAUC60N04S6L039ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
BSC027N04LSGATMA1 - 40V 100A 2.7mΩ OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon
BSC027N04LSGATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSC027N04LSGATMA1 | IAUC60N04S6L039ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 3 | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | 24 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 2.7 mΩ | — |
| Power Dissipation (Ta=25°C) | 2.5 W | — |
| पावर डिसिपेशन (TC=25°C) | 83 W | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55°C to +150°C | — |
| पैकेज | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) | PG-TDSON-8 (SSO8) 5x6 mm |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 3 (Trench) | OptiMOS 6 (trench) |
| MSL स्तर | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| हैलोजन फ्री | Yes | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I_D, T_C=25C) | — | 60 A |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | — | 240 A |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | — | 3.9 milliohm |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Total Gate Charge (Q_G) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Power Dissipation (P_D) | — | 42 W |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55C to +175C |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| Avalanche Rated | — | Yes (100% avalanche tested) |