BSC027N04LSGATMA1 vs IAUC60N04S6L039ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC027N04LSGATMA1 tarafından Infineon ve IAUC60N04S6L039ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | BSC027N04LSGATMA1 | IAUC60N04S6L039ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 3 | — |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | 24 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 2.7 mΩ | — |
| Power Dissipation (Ta=25°C) | 2.5 W | — |
| Güç Tüketimi (TC=25°C) | 83 W | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55°C to +150°C | — |
| Paket | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) | PG-TDSON-8 (SSO8) 5x6 mm |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 3 (Trench) | OptiMOS 6 (trench) |
| MSL Seviyesi | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Klorürsüz | Yes | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I_D, T_C=25C) | — | 60 A |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | — | 240 A |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | — | 3.9 milliohm |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Total Gate Charge (Q_G) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Power Dissipation (P_D) | — | 42 W |
| İşletim Jant Sıcaklığı | — | -55C to +175C |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| Avalanche Rated | — | Yes (100% avalanche tested) |