BSC027N04LSGATMA1 vs IAUC60N04S6L039ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC027N04LSGATMA1 بذریعہ Infineon اور IAUC60N04S6L039ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | BSC027N04LSGATMA1 | IAUC60N04S6L039ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 3 | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | 24 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 2.7 mΩ | — |
| Power Dissipation (Ta=25°C) | 2.5 W | — |
| پاور ڈسپیشن (TC=25°C) | 83 W | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55°C to +150°C | — |
| پیکیج | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) | PG-TDSON-8 (SSO8) 5x6 mm |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 3 (Trench) | OptiMOS 6 (trench) |
| MSL لیول | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| ہیلوجن فری | Yes | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I_D, T_C=25C) | — | 60 A |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | — | 240 A |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | — | 3.9 milliohm |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Total Gate Charge (Q_G) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Power Dissipation (P_D) | — | 42 W |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | — | -55C to +175C |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| Avalanche Rated | — | Yes (100% avalanche tested) |