BSC027N04LSGATMA1 vs IAUC60N04S6L039ATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار BSC027N04LSGATMA1 توسط Infineon و IAUC60N04S6L039ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | BSC027N04LSGATMA1 | IAUC60N04S6L039ATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 3 | — |
| نوع ترانزیستور | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | 24 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 2.7 mΩ | — |
| Power Dissipation (Ta=25°C) | 2.5 W | — |
| اتلاف توان (TC=25°C) | 83 W | — |
| محدوده دمای کاری | -55°C to +150°C | — |
| بسته‌بندی | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) | PG-TDSON-8 (SSO8) 5x6 mm |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 3 (Trench) | OptiMOS 6 (trench) |
| سطح MSL | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| بدون هالوژن | Yes | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I_D, T_C=25C) | — | 60 A |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | — | 240 A |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | — | 3.9 milliohm |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Total Gate Charge (Q_G) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Power Dissipation (P_D) | — | 42 W |
| دمای اتصال کاری | — | -55C to +175C |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| Avalanche Rated | — | Yes (100% avalanche tested) |