BSC074N15NS5ATMA1 vs IRLU3410PBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSC074N15NS5ATMA1 द्वारा Infineon और IRLU3410PBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSC074N15NS5ATMA1 | IRLU3410PBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS™ 5 trench | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 114 A | — |
| Power Dissition (PD) at TC=25°C | 214 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 7.4 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| पैकेज | SuperSO8 5x6 (PG-TSON-8-3) with wettable flanks | I-PAK (TO-251AA), through-hole |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Through Hole |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | [DATA_NEEDED: TJ min/max] | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] | — |
| Total Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| Body Diode | Integrated | — |
| Manufacturer | — | Infineon (formerly International Rectifier) |
| Part Number | — | IRLU3410PBF |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 17 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C | — | 12 A |
| Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 105 mOhm at VGS=10 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 22.7 nC |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 79 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | Logic level |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55 C to +175 C |
| Avalanche Rated | — | Yes |
| RoHS / Lead-Free | — | Compliant (Pb-free) |
| HEXFET Generation | — | Fifth generation |