BSC074N15NS5ATMA1 vs IRLU3410PBF השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של BSC074N15NS5ATMA1 מאת Infineon ו IRLU3410PBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | BSC074N15NS5ATMA1 | IRLU3410PBF |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג טרנזיסטור | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS™ 5 trench | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 114 A | — |
| Power Dissition (PD) at TC=25°C | 214 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 7.4 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| מארז | SuperSO8 5x6 (PG-TSON-8-3) with wettable flanks | I-PAK (TO-251AA), through-hole |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Through Hole |
| טווח טמפרטורת פעולה | [DATA_NEEDED: TJ min/max] | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] | — |
| Total Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | — |
| רמת MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| Body Diode | Integrated | — |
| Manufacturer | — | Infineon (formerly International Rectifier) |
| Part Number | — | IRLU3410PBF |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 17 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C | — | 12 A |
| Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 105 mOhm at VGS=10 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 22.7 nC |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 79 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | Logic level |
| טמפרטורת צומת פעולה | — | -55 C to +175 C |
| Avalanche Rated | — | Yes |
| RoHS / Lead-Free | — | Compliant (Pb-free) |
| HEXFET Generation | — | Fifth generation |