BSP315PH6327XTSA1 vs BSS169H6327XTSA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSP315PH6327XTSA1 द्वारा Infineon और BSS169H6327XTSA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1 - 60V P-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSP315PH6327XTSA1 - 60V P-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSP315PH6327XTSA1 ✓ सक्रिय
Infineon
BSS169H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1 - 100V N-Ch Depletion MOSFET 170mA | Infineon

BSS169H6327XTSA1 - 100V N-Ch Depletion MOSFET 170mA | Infineon

BSS169H6327XTSA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर BSP315PH6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
FET Type P-Channel N-Channel Depletion Mode
Technology OptiMOS (enhancement mode) Depletion-mode vertical DMOS
Drain-Source Voltage (VDS) -60 V —
Continuous Drain Current (ID) -1.17 A (Ta) 170 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) 1.8 W (Ta) 360 mW (Ta)
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V (max) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] Pinch-off approx. -3.5 V (typical)
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10 V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55 C to +150 C (junction) [DATA_NEEDED: junction/ambient operating temperature range]
पैकेज PG-SOT223-4 (SOT-223-3 pinout with exposed tab) PG-SOT23 (SOT-23-3)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Avalanche Energy Rated Yes (per datasheet) —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant —
MSL स्तर 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 100 V
RDS(on) Maximum — 6 Ohm at VGS=0 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum rating]
पिन काउंट — 3
RoHS स्थिति — Compliant
Lead-Free — Yes
Drain Current at 25C — 170 mA continuous
Typical RDS(on) — [DATA_NEEDED: typical RDS(on) value]

डेटाशीट और संसाधन

सभी उत्पादों को देखें BOM बनाएं कीट की अनुरोध