BSP315PH6327XTSA1 vs BSS169H6327XTSA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSP315PH6327XTSA1 توسط Infineon و BSS169H6327XTSA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1 - 60V P-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSP315PH6327XTSA1 - 60V P-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSP315PH6327XTSA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر BSP315PH6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
FET Type P-Channel N-Channel Depletion Mode
Technology OptiMOS (enhancement mode) Depletion-mode vertical DMOS
Drain-Source Voltage (VDS) -60 V —
Continuous Drain Current (ID) -1.17 A (Ta) 170 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) 1.8 W (Ta) 360 mW (Ta)
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V (max) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] Pinch-off approx. -3.5 V (typical)
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10 V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
محدوده دمای کاری -55 C to +150 C (junction) [DATA_NEEDED: junction/ambient operating temperature range]
بسته‌بندی PG-SOT223-4 (SOT-223-3 pinout with exposed tab) PG-SOT23 (SOT-23-3)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Avalanche Energy Rated Yes (per datasheet) —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant —
سطح MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 100 V
RDS(on) Maximum — 6 Ohm at VGS=0 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum rating]
تعداد پایه — 3
وضعیت RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Drain Current at 25C — 170 mA continuous
Typical RDS(on) — [DATA_NEEDED: typical RDS(on) value]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت