BSP315PH6327XTSA1 vs BSS169H6327XTSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSP315PH6327XTSA1 tarafından Infineon ve BSS169H6327XTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1 - 60V P-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSP315PH6327XTSA1 - 60V P-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSP315PH6327XTSA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSP315PH6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type P-Channel N-Channel Depletion Mode
Technology OptiMOS (enhancement mode) Depletion-mode vertical DMOS
Drain-Source Voltage (VDS) -60 V —
Continuous Drain Current (ID) -1.17 A (Ta) 170 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) 1.8 W (Ta) 360 mW (Ta)
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V (max) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] Pinch-off approx. -3.5 V (typical)
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10 V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 C to +150 C (junction) [DATA_NEEDED: junction/ambient operating temperature range]
Paket PG-SOT223-4 (SOT-223-3 pinout with exposed tab) PG-SOT23 (SOT-23-3)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Avalanche Energy Rated Yes (per datasheet) —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant —
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 100 V
RDS(on) Maximum — 6 Ohm at VGS=0 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum rating]
Pin Sayısı — 3
RoHS Durumu — Compliant
Lead-Free — Yes
Drain Current at 25C — 170 mA continuous
Typical RDS(on) — [DATA_NEEDED: typical RDS(on) value]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin