BSP315PH6327XTSA1 vs BSS169H6327XTSA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSP315PH6327XTSA1 بذریعہ Infineon اور BSS169H6327XTSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1 - 60V P-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSP315PH6327XTSA1 - 60V P-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSP315PH6327XTSA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSP315PH6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type P-Channel N-Channel Depletion Mode
Technology OptiMOS (enhancement mode) Depletion-mode vertical DMOS
Drain-Source Voltage (VDS) -60 V —
Continuous Drain Current (ID) -1.17 A (Ta) 170 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) 1.8 W (Ta) 360 mW (Ta)
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V (max) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] Pinch-off approx. -3.5 V (typical)
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10 V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 C to +150 C (junction) [DATA_NEEDED: junction/ambient operating temperature range]
پیکیج PG-SOT223-4 (SOT-223-3 pinout with exposed tab) PG-SOT23 (SOT-23-3)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Avalanche Energy Rated Yes (per datasheet) —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant —
MSL لیول 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 100 V
RDS(on) Maximum — 6 Ohm at VGS=0 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum rating]
پن کی تعداد — 3
RoHS اسٹیٹس — Compliant
Lead-Free — Yes
Drain Current at 25C — 170 mA continuous
Typical RDS(on) — [DATA_NEEDED: typical RDS(on) value]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں