BSP315PH6327XTSA1 vs BSS87H6327FTSA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSP315PH6327XTSA1 द्वारा Infineon और BSS87H6327FTSA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1 - 60V P-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSP315PH6327XTSA1 - 60V P-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSP315PH6327XTSA1 ✓ सक्रिय
Infineon
BSS87H6327FTSA1 BSS87H6327FTSA1 - 240V N-Ch MOSFET, 260mA, SOT-89 | Infineon

BSS87H6327FTSA1 - 240V N-Ch MOSFET, 260mA, SOT-89 | Infineon

BSS87H6327FTSA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर BSP315PH6327XTSA1 BSS87H6327FTSA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
FET Type P-Channel N-Channel enhancement-mode
Technology OptiMOS (enhancement mode) —
Drain-Source Voltage (VDS) -60 V 240 V
Continuous Drain Current (ID) -1.17 A (Ta) 260 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) 1.8 W (Ta) 1 W (Ta)
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V (max) +/-20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10 V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55 C to +150 C (junction) -55C to +150C (junction)
पैकेज PG-SOT223-4 (SOT-223-3 pinout with exposed tab) PG-SOT89-4-2 (SOT-89)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Avalanche Energy Rated Yes (per datasheet) —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant —
MSL स्तर 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 6 ohm max at VGS=10V
पिन काउंट — 3 (Gate / Drain / Source)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
RoHS स्थिति — Compliant
Lead-Free / Pb-Free — Yes (Pb-free plating)
Process Technology — Vertical DMOS

डेटाशीट और संसाधन

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