BSP315PH6327XTSA1 vs BSS87H6327FTSA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של BSP315PH6327XTSA1 מאת Infineon ו BSS87H6327FTSA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1 - 60V P-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSP315PH6327XTSA1 - 60V P-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSP315PH6327XTSA1 ✓ פעיל
Infineon
BSS87H6327FTSA1 BSS87H6327FTSA1 - 240V N-Ch MOSFET, 260mA, SOT-89 | Infineon

BSS87H6327FTSA1 - 240V N-Ch MOSFET, 260mA, SOT-89 | Infineon

BSS87H6327FTSA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר BSP315PH6327XTSA1 BSS87H6327FTSA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
FET Type P-Channel N-Channel enhancement-mode
Technology OptiMOS (enhancement mode) —
Drain-Source Voltage (VDS) -60 V 240 V
Continuous Drain Current (ID) -1.17 A (Ta) 260 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) 1.8 W (Ta) 1 W (Ta)
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V (max) +/-20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10 V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
טווח טמפרטורת פעולה -55 C to +150 C (junction) -55C to +150C (junction)
מארז PG-SOT223-4 (SOT-223-3 pinout with exposed tab) PG-SOT89-4-2 (SOT-89)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Avalanche Energy Rated Yes (per datasheet) —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant —
רמת MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 6 ohm max at VGS=10V
מספר פינים — 3 (Gate / Drain / Source)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
סטטוס RoHS — Compliant
Lead-Free / Pb-Free — Yes (Pb-free plating)
Process Technology — Vertical DMOS

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר