BSP315PH6327XTSA1 vs BSS87H6327FTSA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của BSP315PH6327XTSA1 bằng Infineon và BSS87H6327FTSA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1 - 60V P-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSP315PH6327XTSA1 - 60V P-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSP315PH6327XTSA1 ✓ Hoạt động
Infineon
BSS87H6327FTSA1 BSS87H6327FTSA1 - 240V N-Ch MOSFET, 260mA, SOT-89 | Infineon

BSS87H6327FTSA1 - 240V N-Ch MOSFET, 260mA, SOT-89 | Infineon

BSS87H6327FTSA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số BSP315PH6327XTSA1 BSS87H6327FTSA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
FET Type P-Channel N-Channel enhancement-mode
Technology OptiMOS (enhancement mode) —
Drain-Source Voltage (VDS) -60 V 240 V
Continuous Drain Current (ID) -1.17 A (Ta) 260 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) 1.8 W (Ta) 1 W (Ta)
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V (max) +/-20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10 V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55 C to +150 C (junction) -55C to +150C (junction)
Hộp PG-SOT223-4 (SOT-223-3 pinout with exposed tab) PG-SOT89-4-2 (SOT-89)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Avalanche Energy Rated Yes (per datasheet) —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant —
Cấp MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 6 ohm max at VGS=10V
Số chân — 3 (Gate / Drain / Source)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Trạng thái RoHS — Compliant
Lead-Free / Pb-Free — Yes (Pb-free plating)
Process Technology — Vertical DMOS

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá