BSZ180P03NS3EGATMA1 vs IPD380P06NMATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSZ180P03NS3EGATMA1 द्वारा Infineon और IPD380P06NMATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
BSZ180P03NS3EGATMA1 - 30V P-Channel OptiMOS P3 MOSFET | Infineon
BSZ180P03NS3EGATMA1 ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSZ180P03NS3EGATMA1 | IPD380P06NMATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | P-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS P3 | OptiMOS P-channel trench |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) - Ta | 9 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) - Tc | 39.5 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM] | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | 18 mΩ @ VGS = -10 V | — |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Gate Charge (QG) total | [DATA_NEEDED: QG total] | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.1 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 40 W | 125 W |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55°C to +150°C (TJ) | -55 C to +150 C (junction) |
| पैकेज | PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3 x 3.3 mm) | PG-TO252-3 (DPAK), surface mount |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| MSL स्तर | 1 | 1 |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Polarity / Channel Type | — | P-Channel |
| Drain-Source Voltage V(BR)DSS | — | 60 V |
| कंटीन्यूअस ड्रेन करंट (TC=25°C) | — | 35 A |
| Gate Drive | — | Logic-level compatible |
| Avalanche Rated | — | Yes (per manufacturer datasheet) |
| Target Applications | — | Reverse-polarity protection, load switch, BMS, high-side switch |
| Automotive Qualified | — | Not specified in provided data [DATA_NEEDED: AEC-Q100 grade] |