BSZ180P03NS3EGATMA1 vs IPD380P06NMATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSZ180P03NS3EGATMA1 tarafından Infineon ve IPD380P06NMATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
BSZ180P03NS3EGATMA1 - 30V P-Channel OptiMOS P3 MOSFET | Infineon
BSZ180P03NS3EGATMA1 ✓ Aktif
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | BSZ180P03NS3EGATMA1 | IPD380P06NMATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Transistor Türü | P-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS P3 | OptiMOS P-channel trench |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) - Ta | 9 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) - Tc | 39.5 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM] | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | 18 mΩ @ VGS = -10 V | — |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Gate Charge (QG) total | [DATA_NEEDED: QG total] | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.1 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 40 W | 125 W |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55°C to +150°C (TJ) | -55 C to +150 C (junction) |
| Paket | PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3 x 3.3 mm) | PG-TO252-3 (DPAK), surface mount |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| MSL Seviyesi | 1 | 1 |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Polarity / Channel Type | — | P-Channel |
| Drain-Source Voltage V(BR)DSS | — | 60 V |
| Devamlı Akım Akışı (TC=25°C) | — | 35 A |
| Gate Drive | — | Logic-level compatible |
| Avalanche Rated | — | Yes (per manufacturer datasheet) |
| Target Applications | — | Reverse-polarity protection, load switch, BMS, high-side switch |
| Automotive Qualified | — | Not specified in provided data [DATA_NEEDED: AEC-Q100 grade] |