BSZ180P03NS3EGATMA1 vs IPD380P06NMATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của BSZ180P03NS3EGATMA1 bằng Infineon và IPD380P06NMATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
BSZ180P03NS3EGATMA1 - 30V P-Channel OptiMOS P3 MOSFET | Infineon
BSZ180P03NS3EGATMA1 ✓ Hoạt động
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | BSZ180P03NS3EGATMA1 | IPD380P06NMATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Kiểu transitor | P-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS P3 | OptiMOS P-channel trench |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) - Ta | 9 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) - Tc | 39.5 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM] | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | 18 mΩ @ VGS = -10 V | — |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Gate Charge (QG) total | [DATA_NEEDED: QG total] | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.1 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 40 W | 125 W |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55°C to +150°C (TJ) | -55 C to +150 C (junction) |
| Hộp | PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3 x 3.3 mm) | PG-TO252-3 (DPAK), surface mount |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Cấp MSL | 1 | 1 |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Polarity / Channel Type | — | P-Channel |
| Drain-Source Voltage V(BR)DSS | — | 60 V |
| Trực流连续电流 (TC=25°C) | — | 35 A |
| Gate Drive | — | Logic-level compatible |
| Avalanche Rated | — | Yes (per manufacturer datasheet) |
| Target Applications | — | Reverse-polarity protection, load switch, BMS, high-side switch |
| Automotive Qualified | — | Not specified in provided data [DATA_NEEDED: AEC-Q100 grade] |