DMN3190LDW-7 vs JMTG070N06A तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना DMN3190LDW-7 द्वारा Diodes Incorporated और JMTG070N06A द्वारा Jiejie Micro. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Diodes Incorporated
DMN3190LDW-7 - 30V Dual N-Channel MOSFET Array | Diodes Inc | SOT-363
DMN3190LDW-7 ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | DMN3190LDW-7 | JMTG070N06A |
|---|---|---|
| ब्रांड | Diodes Incorporated | Jiejie Micro |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | Dual N-Channel Enhancement Mode | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | 20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 1 A | 70 A |
| Power Dissipation (PD) | 320 mW | — |
| पैकेज | SOT-363 (SC-70-6) 6-pin | PDFN5x6-8L (Power DFN 5x6 mm, 8 leads) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount (SMD) |
| ऑपरेटिंग तापमान | -55C to +150C | — |
| Configuration | Dual, independent drains | Single N-channel MOSFET |
| Technology | Silicon N-Channel MOSFET | Advanced Trench MOSFET |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| MSL स्तर | 1 (unlimited) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Factory Pack Quantity | 3000 | — |
| Manufacturer | — | Jiejie Micro (JJW) |
| Part Number | — | JMTG070N06A |
| Polarity / Type | — | N-channel Enhancement Mode |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| On-Resistance RDS(ON) | — | < 6 mOhm @ VGS = 10 V |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] |
| Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Single Pulse Avalanche Energy (EAS) | — | IAS = 27 A at VDD = 30 V, L = 0.5 mH, Rg = 25 ohm (TJ = 25 degC) |
| Lead Status | — | Lead free / RoHS compliant |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | [DATA_NEEDED: TJ max and operating range] |
| Thermal Resistance RthJA | — | [DATA_NEEDED: theta_JA] |