DMN3190LDW-7 vs JMTG070N06A موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از DMN3190LDW-7 بذریعہ Diodes Incorporated اور JMTG070N06A بذریعہ Jiejie Micro. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Diodes Incorporated
DMN3190LDW-7 DMN3190LDW-7 - 30V Dual N-Channel MOSFET Array | Diodes Inc | SOT-363

DMN3190LDW-7 - 30V Dual N-Channel MOSFET Array | Diodes Inc | SOT-363

DMN3190LDW-7 ✓ فعال
Jiejie Micro
JMTG070N06A JMTG070N06A - 60V 70A N-Channel Power MOSFET | PDFN5x6-8L

JMTG070N06A - 60V 70A N-Channel Power MOSFET | PDFN5x6-8L

JMTG070N06A ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر DMN3190LDW-7 JMTG070N06A
برانڈ Diodes Incorporated Jiejie Micro
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type Dual N-Channel Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Gate-Source Voltage (VGS) 20 V —
Continuous Drain Current (ID) 1 A 70 A
Power Dissipation (PD) 320 mW —
پیکیج SOT-363 (SC-70-6) 6-pin PDFN5x6-8L (Power DFN 5x6 mm, 8 leads)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount (SMD)
آپریٹنگ درجہ حرارت -55C to +150C —
Configuration Dual, independent drains Single N-channel MOSFET
Technology Silicon N-Channel MOSFET Advanced Trench MOSFET
Channel Mode Enhancement —
MSL لیول 1 (unlimited) —
RoHS اسٹیٹس Compliant —
Lead-Free Yes —
Factory Pack Quantity 3000 —
Manufacturer — Jiejie Micro (JJW)
Part Number — JMTG070N06A
Polarity / Type — N-channel Enhancement Mode
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
On-Resistance RDS(ON) — < 6 mOhm @ VGS = 10 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max]
Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Single Pulse Avalanche Energy (EAS) — IAS = 27 A at VDD = 30 V, L = 0.5 mH, Rg = 25 ohm (TJ = 25 degC)
Lead Status — Lead free / RoHS compliant
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — [DATA_NEEDED: TJ max and operating range]
Thermal Resistance RthJA — [DATA_NEEDED: theta_JA]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں