DMN3190LDW-7 vs JMTG070N06A So sánh
So sánh chi tiết song song của DMN3190LDW-7 bằng Diodes Incorporated và JMTG070N06A bằng Jiejie Micro. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Diodes Incorporated
DMN3190LDW-7 - 30V Dual N-Channel MOSFET Array | Diodes Inc | SOT-363
DMN3190LDW-7 ✓ Hoạt động
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | DMN3190LDW-7 | JMTG070N06A |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Diodes Incorporated | Jiejie Micro |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| FET Type | Dual N-Channel Enhancement Mode | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | 20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 1 A | 70 A |
| Power Dissipation (PD) | 320 mW | — |
| Hộp | SOT-363 (SC-70-6) 6-pin | PDFN5x6-8L (Power DFN 5x6 mm, 8 leads) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount (SMD) |
| Nhiệt độ hoạt động | -55C to +150C | — |
| Configuration | Dual, independent drains | Single N-channel MOSFET |
| Technology | Silicon N-Channel MOSFET | Advanced Trench MOSFET |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| Cấp MSL | 1 (unlimited) | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Factory Pack Quantity | 3000 | — |
| Manufacturer | — | Jiejie Micro (JJW) |
| Part Number | — | JMTG070N06A |
| Polarity / Type | — | N-channel Enhancement Mode |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| On-Resistance RDS(ON) | — | < 6 mOhm @ VGS = 10 V |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] |
| Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Single Pulse Avalanche Energy (EAS) | — | IAS = 27 A at VDD = 30 V, L = 0.5 mH, Rg = 25 ohm (TJ = 25 degC) |
| Lead Status | — | Lead free / RoHS compliant |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | — | [DATA_NEEDED: TJ max and operating range] |
| Thermal Resistance RthJA | — | [DATA_NEEDED: theta_JA] |