E3AD8G16A4-HR vs NT5AD512M16C4-HR तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना E3AD8G16A4-HR द्वारा ELIXIR/NANYA और NT5AD512M16C4-HR द्वारा Nanya Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | E3AD8G16A4-HR | NT5AD512M16C4-HR |
|---|---|---|
| ब्रांड | ELIXIR/NANYA | Nanya Technology |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| संगठन | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Density | 8 Gb | 8 Gbit |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.2 V | 1.2 V |
| पैकेज | TFBGA-96 | FBGA-96 (TFBGA) |
| डेटा दर | 3200 MT/s | 1.333 GHz (DDR4-2666) |
| CAS लेटेंसी | 22 | — |
| Burst Length | 8 (BC4 optional) | — |
| Number of Banks | 16 (4 bank groups) | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0C to +95C (TCASE) | 0°C to +95°C |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | — |
| Speed Grade | DDR4-3200 | — |
| पिन की संख्या | — | 96 |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Built-in Temperature Sensor | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |