E3AD8G16A4-HR vs NT5AD512M16C4-HR مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ E3AD8G16A4-HR بواسطة ELIXIR/NANYA و NT5AD512M16C4-HR بواسطة Nanya Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | E3AD8G16A4-HR | NT5AD512M16C4-HR |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | ELIXIR/NANYA | Nanya Technology |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| التنظيم | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Density | 8 Gb | 8 Gbit |
| جهد التغذية | 1.2 V | 1.2 V |
| العلبة | TFBGA-96 | FBGA-96 (TFBGA) |
| معدل البيانات | 3200 MT/s | 1.333 GHz (DDR4-2666) |
| زمن الوصول CAS | 22 | — |
| Burst Length | 8 (BC4 optional) | — |
| Number of Banks | 16 (4 bank groups) | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| درجة حرارة التشغيل | 0C to +95C (TCASE) | 0°C to +95°C |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | — |
| Speed Grade | DDR4-3200 | — |
| عدد الدبابيس | — | 96 |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Built-in Temperature Sensor | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |