E3AD8G16A4-HR vs NT5AD512M16C4-HR 比較
詳細並排比較 E3AD8G16A4-HR 由 ELIXIR/NANYA 與 NT5AD512M16C4-HR 由 Nanya Technology. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況，以找出最符合您設計需求的元件。
規格比較
| 參數 | E3AD8G16A4-HR | NT5AD512M16C4-HR |
|---|---|---|
| 品牌 | ELIXIR/NANYA | Nanya Technology |
| 類別 | Memory ICs | Memory ICs |
| 生命週期狀態 | 啟用中 | 啟用中 |
| 記憶體類型 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| 組織 | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Density | 8 Gb | 8 Gbit |
| 供應電壓 | 1.2 V | 1.2 V |
| 封裝 | TFBGA-96 | FBGA-96 (TFBGA) |
| 資料速率 | 3200 MT/s | 1.333 GHz (DDR4-2666) |
| CAS 延遲 | 22 | — |
| Burst Length | 8 (BC4 optional) | — |
| Number of Banks | 16 (4 bank groups) | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| 工作溫度 | 0C to +95C (TCASE) | 0°C to +95°C |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| 安裝類型 | Surface Mount | — |
| Speed Grade | DDR4-3200 | — |
| 腳位數 | — | 96 |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Built-in Temperature Sensor | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |