E3AD8G16A4-HR vs NT5AD512M16C4-HR השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של E3AD8G16A4-HR מאת ELIXIR/NANYA ו NT5AD512M16C4-HR מאת Nanya Technology. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | E3AD8G16A4-HR | NT5AD512M16C4-HR |
|---|---|---|
| מותג | ELIXIR/NANYA | Nanya Technology |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| ארגון | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Density | 8 Gb | 8 Gbit |
| מתח אספקה | 1.2 V | 1.2 V |
| מארז | TFBGA-96 | FBGA-96 (TFBGA) |
| קצב נתונים | 3200 MT/s | 1.333 GHz (DDR4-2666) |
| השהיית CAS | 22 | — |
| Burst Length | 8 (BC4 optional) | — |
| Number of Banks | 16 (4 bank groups) | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| טמפרטורת פעולה | 0C to +95C (TCASE) | 0°C to +95°C |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | — |
| Speed Grade | DDR4-3200 | — |
| מספר פינים | — | 96 |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Built-in Temperature Sensor | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |