EP3SE260F1517C4N vs EP3SE260F1517I3 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना EP3SE260F1517C4N द्वारा Intel और EP3SE260F1517I3 द्वारा Intel. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | EP3SE260F1517C4N | EP3SE260F1517I3 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Intel | Intel |
| श्रेणी | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| लाइफसाइकिल स्थिति | NRND | सक्रिय |
| Series | Stratix® III E | — |
| Family | Field-Programmable Gate Array (FPGA) | Stratix III E |
| Logic Elements | 255,000 | 255,000 |
| Embedded Memory | 16,672,768 bits | — |
| Logic Array Blocks (LABs) | 10,200 | 10,200 |
| Maximum User I/Os | 976 | 976 |
| पैकेज | 1517-BBGA, FCBGA | 1517-BBGA, FCBGA |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0°C to 85°C | — |
| Core Voltage | 0.9 V | 1.0 V typical |
| Process Node | 65 nm | — |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Lead Free | [DATA_NEEDED: lead-free status] | — |
| RoHS स्थिति | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Maximum Transceiver Data Rate | 12.5 Gbps | — |
| Embedded Memory (bits) | — | 16,672,768 |
| Operating Temperature Grade | — | Industrial |
| Junction Temperature Range | — | -40C to +125C |
| Process Technology | — | 65 nm CMOS |
| Maximum Core Frequency | — | 717 MHz |
| I/O Standards Supported | — | LVDS, LVTTL, LVCMOS, HSTL, SSTL |
| Configuration | — | SRAM-based, volatile (requires external configuration device) |