EP3SE260F1517C4N vs EP3SE260F1517I3 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma EP3SE260F1517C4N tarafından Intel ve EP3SE260F1517I3 tarafından IntelAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | EP3SE260F1517C4N | EP3SE260F1517I3 |
|---|---|---|
| Marka | Intel | Intel |
| Kategori | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| Yaşam Döngüsü Durumu | NRND | Aktif |
| Series | Stratix® III E | — |
| Family | Field-Programmable Gate Array (FPGA) | Stratix III E |
| Logic Elements | 255,000 | 255,000 |
| Embedded Memory | 16,672,768 bits | — |
| Logic Array Blocks (LABs) | 10,200 | 10,200 |
| Maximum User I/Os | 976 | 976 |
| Paket | 1517-BBGA, FCBGA | 1517-BBGA, FCBGA |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı | 0°C to 85°C | — |
| Core Voltage | 0.9 V | 1.0 V typical |
| Process Node | 65 nm | — |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Lead Free | [DATA_NEEDED: lead-free status] | — |
| RoHS Durumu | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Maximum Transceiver Data Rate | 12.5 Gbps | — |
| Embedded Memory (bits) | — | 16,672,768 |
| Operating Temperature Grade | — | Industrial |
| Junction Temperature Range | — | -40C to +125C |
| Process Technology | — | 65 nm CMOS |
| Maximum Core Frequency | — | 717 MHz |
| I/O Standards Supported | — | LVDS, LVTTL, LVCMOS, HSTL, SSTL |
| Configuration | — | SRAM-based, volatile (requires external configuration device) |