EP3SE260F1517C4N vs EP3SE260F1517I3 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של EP3SE260F1517C4N מאת Intel ו EP3SE260F1517I3 מאת Intel. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | EP3SE260F1517C4N | EP3SE260F1517I3 |
|---|---|---|
| מותג | Intel | Intel |
| קטגוריה | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| סטטוס מחזור חיים | NRND | פעיל |
| Series | Stratix® III E | — |
| Family | Field-Programmable Gate Array (FPGA) | Stratix III E |
| Logic Elements | 255,000 | 255,000 |
| Embedded Memory | 16,672,768 bits | — |
| Logic Array Blocks (LABs) | 10,200 | 10,200 |
| Maximum User I/Os | 976 | 976 |
| מארז | 1517-BBGA, FCBGA | 1517-BBGA, FCBGA |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טמפרטורת פעולה | 0°C to 85°C | — |
| Core Voltage | 0.9 V | 1.0 V typical |
| Process Node | 65 nm | — |
| רמת MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Lead Free | [DATA_NEEDED: lead-free status] | — |
| סטטוס RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Maximum Transceiver Data Rate | 12.5 Gbps | — |
| Embedded Memory (bits) | — | 16,672,768 |
| Operating Temperature Grade | — | Industrial |
| Junction Temperature Range | — | -40C to +125C |
| Process Technology | — | 65 nm CMOS |
| Maximum Core Frequency | — | 717 MHz |
| I/O Standards Supported | — | LVDS, LVTTL, LVCMOS, HSTL, SSTL |
| Configuration | — | SRAM-based, volatile (requires external configuration device) |