EP3SE260H780C3N vs EP3SE260F1152C3N तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना EP3SE260H780C3N द्वारा Intel और EP3SE260F1152C3N द्वारा Intel. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

विशेषता तुलना

पैरामीटर EP3SE260H780C3N EP3SE260F1152C3N
ब्रांड Intel Intel
श्रेणी FPGA & CPLD FPGA & CPLD
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Series Stratix® III E Stratix III E
Logic Elements (LE) 255,000 —
Embedded Memory (bits) 16,672,768 —
Number of LABs/CLBs 10,200 —
User I/Os 488 —
Number of Pins / Balls 780 —
पैकेज 780-BBGA, FCBGA (H780) 1152-BBGA, FCBGA
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
ऑपरेटिंग तापमान 0 °C to +85 °C (C grade, commercial) 0 C to +85 C (Commercial)
Process Technology 40 nm CMOS 65 nm
Maximum Core Frequency [DATA_NEEDED: maximum core frequency MHz] —
Supply Voltage (VCCINT) [DATA_NEEDED: VCCINT nominal V] —
Transceivers [DATA_NEEDED: number of embedded transceivers and max data rate] Integrated high-speed transceivers
DSP Blocks [DATA_NEEDED: number of DSP blocks and precision] Yes (dedicated multiplier/accumulator)
RoHS स्थिति Compliant (lead-free 'N' suffix) Compliant
नमी संवेदनशीलता स्तर (MSL) [DATA_NEEDED: MSL level per JEDEC J-STD-020] —
Configuration Method SRAM-based, configured via JTAG / passive / active serial / fast passive parallel —
Design Toolchain Altera Quartus II (legacy); Intel Quartus Prime —
Logic Elements / Cells — 255,000
Embedded Memory Bits — 16,672,768 bits
Logic Array Blocks (LABs) — 10,200
User I/O Count — 744
Core Voltage — 1.1 V
Embedded Memory Type — TriMatrix (true dual-port, FIFO, ROM, RAM)
External Memory Support — DDR3, DDR2, QDR II+, RLDRAM II
Configuration Modes — AS, AP, PS, FPP, JTAG
Partial Reconfiguration — Supported
Programmable Power Technology — Yes (up to 50% dynamic power reduction)

डेटाशीट और संसाधन

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