EP3SE260H780C3N vs EP3SE260F1152C3N השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של EP3SE260H780C3N מאת Intel ו EP3SE260F1152C3N מאת Intel. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר EP3SE260H780C3N EP3SE260F1152C3N
מותג Intel Intel
קטגוריה FPGA & CPLD FPGA & CPLD
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Series Stratix® III E Stratix III E
Logic Elements (LE) 255,000 —
Embedded Memory (bits) 16,672,768 —
Number of LABs/CLBs 10,200 —
User I/Os 488 —
Number of Pins / Balls 780 —
מארז 780-BBGA, FCBGA (H780) 1152-BBGA, FCBGA
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
טמפרטורת פעולה 0 °C to +85 °C (C grade, commercial) 0 C to +85 C (Commercial)
Process Technology 40 nm CMOS 65 nm
Maximum Core Frequency [DATA_NEEDED: maximum core frequency MHz] —
Supply Voltage (VCCINT) [DATA_NEEDED: VCCINT nominal V] —
Transceivers [DATA_NEEDED: number of embedded transceivers and max data rate] Integrated high-speed transceivers
DSP Blocks [DATA_NEEDED: number of DSP blocks and precision] Yes (dedicated multiplier/accumulator)
סטטוס RoHS Compliant (lead-free 'N' suffix) Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL) [DATA_NEEDED: MSL level per JEDEC J-STD-020] —
Configuration Method SRAM-based, configured via JTAG / passive / active serial / fast passive parallel —
Design Toolchain Altera Quartus II (legacy); Intel Quartus Prime —
Logic Elements / Cells — 255,000
Embedded Memory Bits — 16,672,768 bits
Logic Array Blocks (LABs) — 10,200
User I/O Count — 744
Core Voltage — 1.1 V
Embedded Memory Type — TriMatrix (true dual-port, FIFO, ROM, RAM)
External Memory Support — DDR3, DDR2, QDR II+, RLDRAM II
Configuration Modes — AS, AP, PS, FPP, JTAG
Partial Reconfiguration — Supported
Programmable Power Technology — Yes (up to 50% dynamic power reduction)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר