H5AN4G8NBJR-VKC vs H5AN4G6NBJR-RDC तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना H5AN4G8NBJR-VKC द्वारा SK hynix और H5AN4G6NBJR-RDC द्वारा SK hynix. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | H5AN4G8NBJR-VKC | H5AN4G6NBJR-RDC |
|---|---|---|
| ब्रांड | SK hynix | SK hynix |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| मेमोरी आकार | 4 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x8 | — |
| डेटा दर | 2666 Mbps (DDR4-2666) | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| पैकेज | FBGA-78 (7.5 x 11 mm) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CMOS DRAM | — |
| Volatile / Non-Volatile | Volatile | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| CAS लेटेंसी | [DATA_NEEDED: CAS latency for 2666 grade] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate] | — |
| RoHS स्थिति | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per datasheet) | — |
| Packaging | Tray | — |
| लाइफसाइकिल स्थिति | Active | — |
| Density | — | 4 Gb |
| संगठन | — | 256M x 16 |
| सप्लाई वोल्टेज | — | 1.2 V |
| इंटरफ़ेस | — | CMOS, fully synchronous |
| Package Code | — | TFBGA (FBGA-96) |
| Package Shape | — | Rectangular |
| Package Width | — | 7.5 mm |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Temperature Grade | — | OTHER (per Partstack listing); -I industrial option -40C to +95C per family datasheet |
| Self Refresh | — | Auto / Self Refresh |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| On-Die Termination | — | Dynamic ODT |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes (per datasheet cover: Lead-Free & Halogen-Free) |
| Speed Grade | — | -RDC (see manufacturer datasheet for validated data-rate bin) |