H5AN4G8NBJR-VKC vs H5AN4G6NBJR-RDC Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma H5AN4G8NBJR-VKC tarafından SK hynix ve H5AN4G6NBJR-RDC tarafından SK hynixAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-VKC H5AN4G8NBJR-VKC - 4Gb DDR4-2666 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKC - 4Gb DDR4-2666 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKC ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre H5AN4G8NBJR-VKC H5AN4G6NBJR-RDC
Marka SK hynix SK hynix
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Bellek Boyutu 4 Gb —
Memory Organization 512M x8 —
Veri Hızı 2666 Mbps (DDR4-2666) —
Memory Interface Parallel —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Paket FBGA-78 (7.5 x 11 mm) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology CMOS DRAM —
Volatile / Non-Volatile Volatile —
İşletim Sıcaklığı [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
CAS Gecikme [DATA_NEEDED: CAS latency for 2666 grade] —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate] —
RoHS Durumu Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per datasheet) —
Packaging Tray —
Yaşam Döngüsü Durumu Active —
Density — 4 Gb
Organizasyon — 256M x 16
Besleme Gerilimi — 1.2 V
Arayüz — CMOS, fully synchronous
Package Code — TFBGA (FBGA-96)
Package Shape — Rectangular
Package Width — 7.5 mm
Number of Terminals — 96
Temperature Grade — OTHER (per Partstack listing); -I industrial option -40C to +95C per family datasheet
Self Refresh — Auto / Self Refresh
Data Mask Function — Yes
Asynchronous Reset — Yes
On-Die Termination — Dynamic ODT
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes
Lead-Free / Halogen-Free — Yes (per datasheet cover: Lead-Free & Halogen-Free)
Speed Grade — -RDC (see manufacturer datasheet for validated data-rate bin)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin