H5AN4G8NBJR-VKC vs H5AN4G6NBJR-RDC So sánh
So sánh chi tiết song song của H5AN4G8NBJR-VKC bằng SK hynix và H5AN4G6NBJR-RDC bằng SK hynix. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | H5AN4G8NBJR-VKC | H5AN4G6NBJR-RDC |
|---|---|---|
| Thương hiệu | SK hynix | SK hynix |
| Danh mục | Memory ICs | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Kiểu bộ nhớ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Kích thước bộ nhớ | 4 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x8 | — |
| Tốc độ dữ liệu | 2666 Mbps (DDR4-2666) | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Hộp | FBGA-78 (7.5 x 11 mm) | — |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CMOS DRAM | — |
| Volatile / Non-Volatile | Volatile | — |
| Nhiệt độ hoạt động | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Latency CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency for 2666 grade] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate] | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per datasheet) | — |
| Packaging | Tray | — |
| Trạng thái vòng đời | Active | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Tổ chức | — | 256M x 16 |
| Điện áp cung cấp | — | 1.2 V |
| Giao diện | — | CMOS, fully synchronous |
| Package Code | — | TFBGA (FBGA-96) |
| Package Shape | — | Rectangular |
| Package Width | — | 7.5 mm |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Temperature Grade | — | OTHER (per Partstack listing); -I industrial option -40C to +95C per family datasheet |
| Self Refresh | — | Auto / Self Refresh |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| On-Die Termination | — | Dynamic ODT |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes (per datasheet cover: Lead-Free & Halogen-Free) |
| Speed Grade | — | -RDC (see manufacturer datasheet for validated data-rate bin) |