H5AN8G8NCJR-XNC vs H5AN8G8NCJR-RDC तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना H5AN8G8NCJR-XNC द्वारा SK hynix और H5AN8G8NCJR-RDC द्वारा SK hynix. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | H5AN8G8NCJR-XNC | H5AN8G8NCJR-RDC |
|---|---|---|
| ब्रांड | SK hynix | SK hynix |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| यूनिट मूल्य (USD) | $30.69 | — |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| मेमोरी आकार | 8 Gbit | — |
| संगठन | 1 Gb x 8 | x8 |
| डेटा दर | 3200 Mbps (DDR4-3200) | up to 2666 Mbps |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | — |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.14 V to 1.26 V (1.2 V nominal) | 1.2 V (VDD) |
| पैकेज | 78-ball FBGA, 7.5 mm x 11 mm | 78-ball FBGA |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0 C to +85 C | [DATA_NEEDED: operating temperature range for -RDC suffix] |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| इंटरफ़ेस | DDR4 (8-bit data interface) | DDR4 (JEDEC standard) |
| Architecture | Bank-group based DDR4 | — |
| Refresh | Auto self-refresh | — |
| Precharge | Auto precharge | — |
| On-Chip Termination | Dynamic ODT | — |
| Calibration | ZQ calibration, write leveling | — |
| Error Handling | CRC function | — |
| Reset | Asynchronous reset | — |
| Data Mask | Data mask function | — |
| Current - Operating | 39 mA | — |
| Current - Standby | 30 mA | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes | — |
| Density | — | 8 Gb (1 GB) |
| Bank Architecture | — | 4 bank groups x 4 banks |
| Burst Length | — | BL8 |
| CAS लेटेंसी | — | [DATA_NEEDED: CAS latency for -RDC speed grade] |
| Generation | — | C-die family (NCJR) |
| Lead Free | — | Yes |
| हैलोजन फ्री | — | Yes |