H5AN8G8NCJR-XNC vs H5AN8G8NCJR-RDC So sánh

So sánh chi tiết song song của H5AN8G8NCJR-XNC bằng SK hynix và H5AN8G8NCJR-RDC bằng SK hynix. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

SK hynix
H5AN8G8NCJR-XNC H5AN8G8NCJR-XNC - 8Gb DDR4-3200 SDRAM, x8, FBGA-78 | SK hynix

H5AN8G8NCJR-XNC - 8Gb DDR4-3200 SDRAM, x8, FBGA-78 | SK hynix

H5AN8G8NCJR-XNC ✓ Hoạt động
SK hynix
H5AN8G8NCJR-RDC H5AN8G8NCJR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G8NCJR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G8NCJR-RDC ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số H5AN8G8NCJR-XNC H5AN8G8NCJR-RDC
Thương hiệu SK hynix SK hynix
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Giá đơn vị (USD) $30,69 —
Kiểu bộ nhớ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Kích thước bộ nhớ 8 Gbit —
Tổ chức 1 Gb x 8 x8
Tốc độ dữ liệu 3200 Mbps (DDR4-3200) up to 2666 Mbps
Clock Frequency 1.6 GHz —
Điện áp cung cấp 1.14 V to 1.26 V (1.2 V nominal) 1.2 V (VDD)
Hộp 78-ball FBGA, 7.5 mm x 11 mm 78-ball FBGA
Nhiệt độ hoạt động 0 C to +85 C [DATA_NEEDED: operating temperature range for -RDC suffix]
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Giao diện DDR4 (8-bit data interface) DDR4 (JEDEC standard)
Architecture Bank-group based DDR4 —
Refresh Auto self-refresh —
Precharge Auto precharge —
On-Chip Termination Dynamic ODT —
Calibration ZQ calibration, write leveling —
Error Handling CRC function —
Reset Asynchronous reset —
Data Mask Data mask function —
Current - Operating 39 mA —
Current - Standby 30 mA —
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Lead-Free / Halogen-Free Yes —
Density — 8 Gb (1 GB)
Bank Architecture — 4 bank groups x 4 banks
Burst Length — BL8
Latency CAS — [DATA_NEEDED: CAS latency for -RDC speed grade]
Generation — C-die family (NCJR)
Lead Free — Yes
Đông trùng haogen — Yes

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá