H5AN8G8NCJR-XNC vs H5AN8G8NCJR-RDC השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של H5AN8G8NCJR-XNC מאת SK hynix ו H5AN8G8NCJR-RDC מאת SK hynix. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | H5AN8G8NCJR-XNC | H5AN8G8NCJR-RDC |
|---|---|---|
| מותג | SK hynix | SK hynix |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| מחיר ליחידה (USD) | $30.69 | — |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| גודל זיכרון | 8 Gbit | — |
| ארגון | 1 Gb x 8 | x8 |
| קצב נתונים | 3200 Mbps (DDR4-3200) | up to 2666 Mbps |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | — |
| מתח אספקה | 1.14 V to 1.26 V (1.2 V nominal) | 1.2 V (VDD) |
| מארז | 78-ball FBGA, 7.5 mm x 11 mm | 78-ball FBGA |
| טמפרטורת פעולה | 0 C to +85 C | [DATA_NEEDED: operating temperature range for -RDC suffix] |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| ממשק | DDR4 (8-bit data interface) | DDR4 (JEDEC standard) |
| Architecture | Bank-group based DDR4 | — |
| Refresh | Auto self-refresh | — |
| Precharge | Auto precharge | — |
| On-Chip Termination | Dynamic ODT | — |
| Calibration | ZQ calibration, write leveling | — |
| Error Handling | CRC function | — |
| Reset | Asynchronous reset | — |
| Data Mask | Data mask function | — |
| Current - Operating | 39 mA | — |
| Current - Standby | 30 mA | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes | — |
| Density | — | 8 Gb (1 GB) |
| Bank Architecture | — | 4 bank groups x 4 banks |
| Burst Length | — | BL8 |
| השהיית CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency for -RDC speed grade] |
| Generation | — | C-die family (NCJR) |
| Lead Free | — | Yes |
| נטול הלוגנים | — | Yes |